圓片在基區(qū)擴(kuò)散后，發(fā)射區(qū)擴(kuò)散前都要做先行片，由先行片的實(shí)驗(yàn)工藝條件來指導(dǎo)批量生產(chǎn)，在測(cè)試前需要進(jìn)行特性光刻開特性孔，特性光刻后進(jìn)行前處理：在加熱到（75±5）℃的2號(hào)液中煮一段時(shí)間，然后再進(jìn)行H₂處理，后利用四探針測(cè)試儀測(cè)試晶體管的特性。

H₂處理的工藝溫度為500℃，進(jìn)行H₂處理的目的是為了改善硅片表面的表面態(tài)密度，由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵，即存在很多表面態(tài)，通過H₂處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結(jié)合從而減少界面態(tài)，如果不進(jìn)行H₂處理，特性測(cè)試不出來。

對(duì)于三極管（小功率和大功率）來說，主要是雙結(jié)測(cè)試，主要測(cè)試參數(shù)有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE，如果HFE偏小，則需要追加擴(kuò)散，一般擴(kuò)散時(shí)間越長，HFE越大，當(dāng)然HFE均勻性也很重要，不能太離散。對(duì)于大功率晶體管還需要在基區(qū)擴(kuò)散后進(jìn)行單結(jié)，主要測(cè)試BVCBO。